3C王者

日前Digitimes援引業內消息人士的話指出，2021年個人電腦中基於QLC閃存的固態硬盤將迎來快速增長。而另一方面，每單元存儲4比特數據的QLC閃存尚未在玩傢群體中得到廣泛接納。

QLC閃存的使用壽命和寫入速度是玩傢關註的重點。目前英特爾給660p/665p系列提供瞭5年質保，而三星則基於產品定位給自傢870QVO提供3年質保。實際上首款QLC固態硬盤上市也才剛剛兩年多時間，閃存技術迭代的間隔時間遠比SSD保修時間更短，從64層堆疊到144層堆疊，英特爾發展3代3D QLC閃存隻用瞭4年。

QLC SSD是一個快速發展的市場。今年2月，英特爾宣佈大連Fab 68工廠生產的3D QLC閃存已經用來制造瞭超過1000萬顆固態硬盤。在96層堆疊技術的665p系列匆忙宣佈停產計劃後，144層堆疊技術的670p已經問世。從下圖中來看，670p似乎使用瞭兩顆閃存佈局，主控和閃存芯片的間距拉的更遠，有利於減少因主控發熱（使閃存過熱）產生的限速。

除瞭670p之外，英特爾還計劃推出新一代H20混合固態硬盤，結合瞭3D XPoint閃存的高性能和3D QLC NAND閃存的大容量優點。不同於上一代H10隻用於筆記本OEM領域，英特爾可能在新一代500系列臺式機主板中提供對H20的支持，從而拓展這一產品的應用范圍。

對於近期很多網友非常關註的固態硬盤舊數據讀取掉速問題，繼續在Floating Gate上堅守的英特爾或許會有一些優勢。按照英特爾的數據，Floating Gate類型的3D閃存在數據維持能力上強於使用更廣泛的Charge Trap類型，更小的漏電、更高的讀取窗口使得Floating Gate類型3D閃存中的數據理論上更不易出錯。

當然從理論上來說，Charge Trap類型擁有更高的擦寫壽命，2D時代三星就開始使用Charge Trap類型，當時就有耐久度測試跑出超過10000PE（連續不斷電寫入測得）。對於傢用條件來說，多數人用不完SSD的閃存寫入壽命，更擔心的是SSD中長時間存儲的數據會不會掉速，以及會不會在長期不開機後出錯損毀。這樣來看的話英特爾的路線也許更適合大傢呢。