硬件百科：NVMe SSD對遊戲都有哪些提升？

近幾年，裝機加裝固態硬盤已經成為遊戲玩傢全民化的趨勢，這是由於固態硬盤在性能上能夠帶給消費者開機速度加快、數據交互能力增強、程序啟動迅速等更好的體驗。但是固態硬盤中也分很多種，這也會讓消費者很難選擇，例如當下比較火爆的SATA硬盤和NVMe硬盤。在進行NVMe SSD對遊戲都有哪些提升？科普之前，先來瞭解二者差距講解。

記憶科技 AH640（512GB）產品綜述|圖片(26)|參數|報價|點評

SATA硬盤采用的是SATA協議，主流硬盤的讀寫速度在500MB/s左右，並且在4K隨機讀取速度上表現一般。而NVMe協議SSD主流的讀寫速度能夠達到2000MB/s+，好一些的PCIe 3.0固態硬盤的讀取速度能夠達到3500MB/s，並且在4K隨機速度上同比SATA硬盤有顯著的提升。

我們在玩遊戲的時候會有啟動遊戲、加載遊戲、場景過圖、場景加載等步驟，硬盤也會參與其中，在此期間硬盤中的數據文件會被調取，其中主要考驗硬盤的4K隨機讀取性能，也就是說4K隨機讀取性能越強，遊戲體驗就會越好。而NVMe硬盤的4K隨機讀取速度同比於傳統的SATA硬盤會有顯著的提升，這也使得NVMe SSD成為瞭電競的首選。

今天筆者將會使用出自記憶科技/憶聯之手的AH640 1TB硬盤來與主流的NVMe SSD以及SATA硬盤進行啟動遊戲速度的測試。在此之前，我們先來瞭解一下記憶科技/憶聯AH640 1TB硬盤。

2顆閃存顆粒+2顆緩存顆粒+1個主控

記憶科技/憶聯AH640 1TB硬盤是基於Marvell主控和東芝96層Flash的高端產品，主控搭載的是88SS1100芯片，最高速度超過3.6GB/s，4K隨機讀寫最高可達700K IOPS。

在性能方面，記憶科技/憶聯AH640 1TB硬盤的順序讀取速度可以達到3500MB/是，順序寫入速度可以達到2350MB/s，4K隨機讀取速度可以達到467K IOPS，4K隨機寫入速度可以達到401KIOPS。

接下來進入遊戲測試，此次選擇的遊戲是3A大作遊戲《古墓麗影暗影》、使用記憶科技/憶聯AH640 1TB硬盤來對標傳統的SATA硬盤和主流的NVMe SSD，進行遊戲啟動速度的測試，成績如下。

遊戲啟動速度測試

從測試成績中能夠看出，采用NVMe協議的記憶科技/憶聯AH640 1TB硬盤比SATA快瞭39%，同比於普通的NVME SSD啟動遊戲速度明顯加快。

實際上，雖然SSD對提升遊戲幀數的作用不大，卻能有效減少刷新延遲、切換場景時短暫黑屏等現象，提高遊戲加載速度。這也就意味著，高性能的SSD有助於我們更流暢的體驗遊戲。

遊戲載入速度測試

此外，筆者還進行瞭載入遊戲的測試，測試中記憶科技/憶聯AH640 1TB硬盤載入遊戲要明顯的優於傳統的SATA硬盤，記憶科技AH640 1TB硬盤的成績為11.6秒，而SATA硬盤載入成績為18.7秒，相差37.9%。此外，記憶科技AH640 1TB硬盤也領先主流NVMe SSD 1.5秒。

在測試中，記憶科技/憶聯AH640 1TB硬盤與SATA SSD之間的差距還是很明顯的，SATA SSD還會出現載入卡頓時間過長的情況，而記憶科技AH640 1TB硬盤整體表現十分優秀。

還有，記憶科技/憶聯AH640 1TB硬盤同比SATA在數據交互方面也有顯著的提升，記憶科技AH640 1TB硬盤額能夠提供3500MB/s的順序讀取速度，而SATA的讀取速度一般為500MB/s左右，也就是說，記憶科技/憶聯AH640 1TB硬盤=7*SATA。

當然，筆者進行的測試也僅僅展現瞭記憶科技/憶聯AH640 1TB硬盤的冰山一角，在實際遊戲當中，還會涉及到遊戲切換環境加載情況，這也就意味著遊戲的地圖越復雜，對硬盤的性能要求越高。除此之外，在遊戲中，我們還會生成一些緩存文件，這小文件會寫入到硬盤當中，這就會考驗硬盤的寫入性能，隨著遊戲的進行，這些小文件被調取的過程，則會主要考驗硬盤的4K隨機性能。

當然，記憶科技/憶聯AH640 1TB硬盤的優勢還不僅如此，托於NVMe協議以及主控顆粒的支持，使得NVMe SSD具有低延時、高iops以及低功耗、高性能、四大突出特點。

低延時，NVMe傳輸協議能夠通過PCIe接口，和CPU進行直連，從而極大的降低瞭數據傳輸的延時；高IOPS，基於PCIe通道的高性能，NVMe協議能夠支持更高規格的IOPS，釋放固態硬盤的全部效能；低功耗，相對於AHCI需要通過重重轉接才能實現數據傳輸和串聯，在NVMe協議下，數據能夠快速通過PCIe通道進行數據互通，降低數據損耗的同時，簡化瞭數據傳輸的整體流程，采用智能電源管理技術，進而降低瞭主控和顆粒的存儲功耗。