3C王者

早些時候，英特爾首席架構師 Raja Koduri 分享瞭“七合一”設計的 Xe HPC GPU 的封裝照片，而後外媒迅速對這款基於 7nm 制程的雙 Tile GPU 產品的規格進行瞭分析。最新消息是，WCCFTech 援引消息人士的爆料，給出瞭帶有正確註釋的芯片圖表，包括位於基板中間的計算單元、兩側的 HBM2 高帶寬顯存、以及邊緣位置的 Xe Link IO 。

（圖 via WCCFTech）

此前大傢對於 Raja Koduri 披露的所謂“七項技術”的理解，包括瞭雙 Tile 版本的 Xe HPC GPU 所使用的 Foveros 技術、英特爾的 10nm ESF 工藝、以及臺積電的 7nm 制程。

現在，通過與至少兩個消息來源進行交叉確認，WCCFTech 終於知曉瞭該公司首款 7nm Xe HPC GPU 芯片封裝的正確註釋。

首先是位於圖片左上角和右下角的兩顆 Xe Link IO 芯片，其基於臺積電的 7nm 工藝制造。有趣的是，基板兩側似乎還整合瞭兩種不同大小的 HBM2 高帶寬顯存。

其次是位於長方形基板中間的英特爾7nm 計算核心，每 Tile 中的 8 個計算核心通過 Passive Die Stiffeners 進行整合、以及與 HBM2 高帶寬顯存連接。

顯然，為瞭打造這款 7nm 產品，英特爾還應用瞭嵌入式多芯片互連橋接（EMIB）和 Foveros 3D 封裝等技術，比如由臺積電代工的 7nm IO 連接芯片和 Rambo Cache 緩存。

以下是對 Raja Koduri 分享的“七項技術”的完整解釋：

● 英特爾 7nm 工藝；

● 臺積電 7nm 工藝；

● Foveros 3D 封裝；

● EMIB 嵌入式多芯片互連橋接；

● 增強型 Super Fin 工藝；

● Rambo Cache 緩存；

● HBM2 高帶寬顯存。