近些年，臺積電在芯片制造業風生水起，7nm、5nm接瞭業內眾多巨頭的訂單，財報方面也是收獲頗豐。
而近日，三星首次展示瞭3nm的制造工藝，並且將其公佈於世，這是一顆256Mb(32MB)容量的SRAM存儲芯片，而三星方面也分享瞭半導體產業的路線圖，10nm後緊接著就是7nm和3nm，其餘全是升級改善型的工藝，比如人們所熟知的5nm。
三星將在3nm工藝上第一次應用環繞柵極場效應晶體管技術，相對木目前的立體晶體管有著結構性的突破，再次實現瞭晶體管結構的突破。
三星的第一顆3nm SRAM芯片用的就是MBCFET，容量256Mb，面積56平方毫米，目前三星方面稱，該芯片可以在明年量產，性能相比上一代有著30%的提升，而且功耗最多可降低50%。
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