3C王者

2020年7月中旬JEDEC固態存儲協會正式發佈DDR5 SDRAM內存標準規范後，DDR5新技術應用受到業內的關註以及專業領域的探索。

江波龍電子今天正式發佈Longsys DDR5內存模組產品（ES1）。涉及兩款全新架構產品原型，分別是1Rank x8和2Rank x8標準型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。相較於DDR4，DDR5在功能和性能上都得到瞭顯著提升。

此外，部分測試數據首次面向公眾公開。其中，展示的測試實例采用瞭Intel AlderLake-S ADP-S CRB開發板，搭配Longsys DDR5 32GB 6400內存模組，並配置Windows 10 Pro x64操作系統，分別通過魯大師和AIDA64兩個熟知的軟件展示DDR5的真實數據。

（通過BIOS瞭解到DDR5新架構采用瞭兩個完全獨立的32位通道）

1、魯大師測試數據

首先呈現的是硬件配置，內存識別為Longsys ID。

通過魯大師測試，Longsys DDR5 32GB 6400的跑分高達19萬分有餘。

2、AIDA64測試數據

通過測試，能夠獲取到Longsys DDR5 32GB 6400讀/寫/拷貝/延遲的性能跑分。

為瞭更加直觀地體現性能的提升力度，還加入瞭DDR4的測試對比。根據數據顯示，Longsys DDR5在性能上實現瞭跨越式提升。

核心指標揭秘

糾錯能力增加

在優化DDR5 DRAM內核運算能力上，Longsys DDR5增加內置糾錯碼（ECC），全面實現數據糾錯能力，進一步提高數據完整性，同時也緩解瞭系統錯誤校正負擔並充分利用DRAM讀寫的高效機制。

增加16n的預取模式

BL16使得Longsys DDR5內存的並發性在DDR4的基礎上提升瞭一倍，信號能夠更完整高效地傳遞。本次DDR5 DIMM新架構采用瞭兩個完全獨立的32位通道，提高瞭並發性，並使系統中可用的內存通道增加瞭一倍。

端到端的接收模式的強化

在DDR5新技術應用中除瞭DQ/DQS/DM繼續采用ODT功能，增加CA、CS類信號也使用瞭ODT。因此，Longsys DDR5內存進一步減少瞭信號脈沖的反射幹擾效應，讓信號傳輸更加純凈。

DDR5 Bank Group 翻倍

DDR5內存使Bank Group的數量增加瞭一倍，並且每個Group的Bank數量保持不變。Longsys DDR5 BG提供更少的訪問延遲，加倍提高瞭系統的整體效率，允許更多頁面同時被打開。

SAME-BANK Refresh刷新模式

Longsys DDR5根據標準還實現瞭一個新特性，稱為SAME-BANK Refresh（同步刷新）。此命令允許刷新每個BG中的一個Bank，使所有其他Banks保持打開狀態以繼續正常操作。

未來的應用場景不斷革新和進步，對存儲技術提出瞭更嚴苛的要求，亦大大加速瞭DDR5發展進程，各大主流平臺對於DDR5的支持也推進迅速。

據悉，Intel方面預計今年第三季度就有支持DDR5的平臺上市。而驅動DRAM內存市場向DDR5升級的動力來自對帶寬有強烈需求的專業應用領域，比如服務器、雲計算、數據中心、高性能計算機等應用領域均有望得到重點部署，此次迭代也為行業客戶提供瞭更出色的內存解決方案。

截止2021年3月12日，Longsys申請專利總數達到838個，其中境外專利申請178項；已授權且維持有效專利411項、其中境外授權且維持有效專利83項；軟件著作權65項。

據悉，今年Longsys內存產品線仍將精益求精，持續提供更多的DDR5產品規格和技術服務。