這兩天我們測試完瞭vivo S9和小米10S兩款機型的遊戲性能表現。其中，vivo S9首發瞭天璣1100，這顆處理器由4*A78（2.6GHz）+4*A55（2.0GHz）的核心組成，主要對標上代旗艦SoC驍龍865。而小米10S搭載瞭驍龍870，兩款處理器分別是聯發科和高通的次旗艦SoC。今天我們就為大傢整理出兩款機型的數據，供大傢參考。
遊戲測試環境均是在25~26℃的室溫條件下，連接WiFi，手機電量保持在70%以上。本次測試的項目為《和平精英》高清HDR+60幀（1小時）、《光明山脈》1080P最高畫質（15分鐘），《崩壞三》自定義最高畫質（15分鐘），《原神》自定義最高畫質+60幀（15分鐘）。兩款手機均是在1080P+120Hz的屏幕模式下進行的測試。
在《和平精英》中，小米10S和同為驍龍870的紅米K40相比，平均幀數略低，但發熱和波動都差不多。而vivo S9幀數表現稍差，但並沒有多拉胯，發熱控制也不錯，整體並沒有和其他機型拉開差距。
《光明山脈》中，小米10S的表現意外還不錯，幀數的表現介於驍龍888的小米11和驍龍865的小米10 Ultra之間，而發熱算得上三款機型中最低的，綜合表現最優秀。而vivo S9直接鎖死在30幀，發熱和沒有鎖幀的華為Mate40差不多。
《崩壞三》中的vivo S9終於超過兩款驍龍870的機型，但優勢並不大，發熱是我們列出的榜單機型中最高的。小米10S成績墊底，性能釋放似乎比紅米K40差一點，幀數稍低，機身溫度也很低。
《原神》中。小米10S雖然平均幀數稍差於紅米K40，但發熱明顯更低，綜合體驗更好，而vivo S9的幀數成績徹底脫離大部隊，發熱卻比小米10S高，和紅米K40差不多。
綜合來看，大部分遊戲中，小米10S的表現相較於vivo S9更有優勢，而和相同處理器的紅米K40相比，幀數表現上互有勝負，但在所有遊戲中，小米10S的發熱更小，所以遊戲的綜合體驗可能比紅米K40更好，適合對機身溫度更敏感的遊戲黨。
至於vivo S9，單論遊戲表現並不出彩，《光明山脈》傳統藝能鎖幀，但是其他遊戲對比我們前段時間測試的搭載天璣1000+的榮耀V40，vivo S9表現還是有瞭明顯的進步，隻是相比同價位驍龍處理器的機型來說差點意思，不推薦遊戲黨購買。
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