3C王者

目前能夠量產7nm及以上工藝芯片的廠商隻有臺積電和三星，二者的芯片代工技術已經將其他公司遠遠地甩在瞭身後，雙方也是彼此唯一的競爭對手。

雖然當下，臺積電全面領先三星，但事實上，三星已經找到瞭反超臺積電的機會。

據悉，三星將會加大對3nm技術的投入，按照計劃明年就可以進行量產。而且，在近日舉辦的國際固態電路會議上，三星就率先對外展示瞭自己代工的3nm制程工藝芯片，這是3nm芯片在全球的首次亮相。更重要的是，三星代工的3nm芯片不僅展示時間早於臺積電，技術也更強。

三星的3nm芯片是采用MBCFEF技術，而臺積電所使用的還是FinFET技術。這其中，FinFET技術已經在芯片上使用瞭將近10年時間，幫助芯片完成瞭從28nm工藝到5nm工藝的跨越。但要知道的是，5nm工藝已經是FinFET技術的所能適應的極限。事實上，最理想的情況是，在7nm技術時代就對FinFET技術進行過渡性升級。

5nm技術本應搭配更加先進的工藝，去年A14、麒麟9000等芯片相繼出現功耗翻車，很大一部分原因就是FinFET技術無法支撐5nm工藝，導致芯片漏電率大幅提升。臺積電在3nm技術上繼續使用FinFET技術其實是承擔瞭相當大風險。產品和自身口碑，都很可能迎來翻車。相比之下，三星則是做出瞭一個更加明智的選擇。

以目前技術眼光來看，三星計劃在3nm工藝上使用的MCBCFEF技術大概率就是FinFET技術的代替者。MBCFEF技術本質是GAAFET技術的一種，也就是下一代技術的一個分支選擇。根據三星官方給出的數據顯示，使用MBCFEF技術打造的3nm芯片相比上一代技術芯片，芯片晶體密度提升80%，性能和能效提升30%，功耗降低50%。

作為對比，臺積電方面公佈的FinFEF技術3nm工藝，相比上一代技術芯片，晶體密度提升70%，能效提升11%，功耗隻降低瞭27%。可以看出，同樣是3nm工藝，MBCFEF技術表現完勝FinFEF技術。

三星3nm工藝借助MBCFEF技術幫助，將可以有效控制芯片漏電以及功耗翻車問題。若是來年，臺積電3nm芯片功耗短板變得更加明顯。三星其實很有機會從臺積電手中獲得大客戶訂單。

而按照慣例，芯片技術大都是兩年一更新，也就是說三星將有兩年的技術領先時間。即便臺積電當前優勢明顯，但兩年也足夠讓三星改變芯片代工市場格局。

文/JING 審/QKF