3C王者

如今芯片的制程工藝已經實現瞭5nm水平，不過能夠量產5nm乃至7nm芯片的代工廠，全球也隻有三星和臺積電，這兩傢廠商的芯片代工水平，已經將其它代工廠遠遠地甩在瞭身後。



也就是說，三星和臺積電都是雙方唯一的對手，不過當下的情況依然是臺積電更勝一籌，掌握的5nm工藝也比三星的更加穩定。

此前臺積電已經給蘋果代工瞭A14、M1芯片，還給華為代工瞭麒麟9000芯片，均采用瞭5nm工藝，在用戶的使用過程中，雖然也有功耗翻車的問題，但相比驍龍888還是要輕一些。

作為三星5nm工藝代工的驍龍888芯片，顯然就沒有那麼好運瞭，此前已經有很多網友吐槽功耗的問題，還有發熱也比較嚴重。

可見，三星雖然掌握瞭5nm制程，但相比臺積電還是有一定差距。



不過現在三星已經找到瞭超車臺積電的方式，盡管5nm工藝相對落後一些，但三星計劃在3nm工藝上實現反超，屆時也將會有更多企業的訂單交給三星。

筆者瞭解到，三星正在持續加大對3nm技術的投入，按計劃可以實現2022年量產，而且近日在IEEE ISSCC國際固態電路大會上，三星還對外展示瞭一顆3nm工藝的芯片。

三星展示的這顆芯片，是3nm工藝的芯片首次在全球亮相，更重要的是，三星的3nm芯片不僅比臺積電更早實現流片，而且技術方面也更具優勢。



具體來說，三星的3nm芯片采用的是MBCFEF技術，而臺積電依然還是采用的FinFET技術。

盡管FinFET技術已經十分成熟，但該技術已經在芯片上使用瞭長達十年之久，橫跨28nm到如今的5nm，業內的共識是5nm工藝已經成為瞭FinFET技術所能適應的極限。

其實最理想的情況，應該是7nm工藝的時候就要對FinFET技術進行升級，5nm開始要全面過渡到GAAFET技術。

而GAAFET技術又分為常規GAAFET和MBCFET技術，後者使用的鰭更厚更寬一些，稱之為納米片，所以理論上像5nm乃至3nm工藝，應該要升級到更先進的技術中來。



此前無論是臺積電還是三星，5nm工藝都是采用的FinFET技術，所以我們會發現，A14、麒麟9000、驍龍888都有不同程度的功耗翻車，主要是落後的工藝提升瞭芯片的漏電率。

所以臺積電繼續在3nm工藝上沿用FinFET技術，其實是要承擔很大風險的，未來產品的表現和自身的口碑，都極有可能因此翻車。

相比之下，三星顯然做出瞭更加明智的選擇。

根據三星公佈的數據來看，使用MBCFEF技術的3nm芯片，相比上代芯片晶體密度將提升80%，性能和能效能提升30%，功耗則可以降低50%。



而臺積電基於FinFET技術打造的3nm芯片，顯然是不及三星的。

臺積電方面表示，3nm工藝相比上代，晶體管密度提升70%，能效提升11%，功耗僅降低瞭27%，可見功耗確實是個大問題。

不出意外的話，三星將可以借助MBCFEF技術，更好地控制芯片漏電率和功耗翻車的問題，而臺積電FinFET技術的3nm芯片，功耗問題將變得尤為明顯。



所以在這種情況下，三星其實是有可能實現“超車”的，並且未來有希望從臺積電手裡搶下更多的訂單，包括蘋果的訂單。

不過三星當下依然面臨著不少困難，主要就是MBCFEF技術相對不那麼成熟，這也是該技術遲遲沒有商用的主要原因，不知道在有限的時間，三星能否將這項新技術做好！

接下來三星和臺積電究竟誰輸誰贏，當前還不好判斷勝負，未來仍有很多的變數。那麼你更希望誰能在3nm工藝上占領高地呢？歡迎在評論區留言，談談你的看法。