全球手機芯片行業長期依賴於臺積電和三星,二者是目前唯二擁有5nm芯片制程工藝的企業,兩傢公司在彼此競爭中相互成長,也將其他芯片代工企業遠遠甩在其後。

全球首款3nm芯片亮相,技術比臺積電更先進,新芯片巨頭將誕生


臺積電是目前全球最大的芯片代工企業,無論是蘋果的A處理器,華為的麒麟芯片還是高通的驍龍處理器,都與臺積電有著密切的聯系,臺積電無論是從技術、生產力還是生產規模,都遠超三星,這同樣給競爭對手不小的壓力,想要將其超越十分困難。百密必有一疏,在攻克3nm制程工藝的道路上,三星終於找到瞭超越臺積電的突破口。

為瞭盡快攻克3nm工藝制程的技術難關,三星加大瞭對3nm工藝制成的技術投入,功夫不負苦心人,三星的努力沒有白費,在近期舉辦的國際固態電路會議上,三星率性展示瞭其生產的3nm制成工藝的芯片。按照生產計劃,預計明年將進行大規模的量產。三星的3nm工藝制成芯片是目前全球首款高精度芯片,這項技術目前已經領先臺積電成為最早掌握這項技術的企業。

全球首款3nm芯片亮相,技術比臺積電更先進,新芯片巨頭將誕生


在過去長達10數年的時間裡,三星和臺積電均采用瞭FinFET技術,這項技術已經完成瞭從28nm工藝到7nm工藝制成的過渡,在進行5nm制成工藝的發展中FinFET的對於高精度芯片生產已經到瞭極限,可以說7nm到5nm工藝之間的過渡已經非常艱難。

為瞭盡快攻克難關突破技術瓶頸,三星率先采用瞭MBCFEF技術,來替代傳統的FinFET技術。在三星的不斷努力下,3nm工藝制成的芯片則率先亮相。與三星的創新精神相比,臺積電更傾向於傳統技術的改進,在研究瞭眾多的方案之後,臺積電決定繼續對FinFET技術進行改進。

全球首款3nm芯片亮相,技術比臺積電更先進,新芯片巨頭將誕生


FinFET技術是目前最成熟的芯片生產技術,但是到瞭5nm技術已經達到瞭極限,芯片漏電問題導致瞭設備的續航減弱,功耗上升,手機出現瞭嚴重的發熱問題,從去年的A14和麒麟9000等芯片我們就可以看出臺積電采用FinFET技術生產的5nm制成工藝芯片已經出現瞭嚴重的問題,在此消彼長之下,三星的技術革新顯然是明智的選擇。

通過技術方面的更新,三星掌握的MBCFEF技術或將是FinFET技術未來發展的方向,使用新技術生產的3nm芯片較上一代的5nm芯片在性能上會有30%的提升,晶圓密度提升瞭80%,而且功耗卻降低瞭50%,一旦成功應用將會手機行業的一大革命。

全球首款3nm芯片亮相,技術比臺積電更先進,新芯片巨頭將誕生


臺積電通過對傳統的FinFET技術的更新,也掌握瞭3nm制成工藝的核心,相比於上一代產品,性能提升瞭11%,晶圓密度提升瞭70%,但是功耗之降低瞭27%。同樣是3nm制成工藝技術的對比,三星比臺積電的技術顯然更先進。

三星掌握的MBCFEF技術已經解決瞭FinFET技術生產芯片出現漏電和發燙嚴重的情況,三星生產的3nm芯片一旦大量投入生產將會對臺積電造成沉重的打擊,臺積電的大客戶也很容易倒戈向三星,三星將繼承臺積電成為新的芯片巨頭。

全球首款3nm芯片亮相,技術比臺積電更先進,新芯片巨頭將誕生


芯片技術的革新會提高產品的性能,英特爾在芯片技術的上的瓶頸,隻能淪為“牙膏王”,其最大的客戶蘋果也隻能自立門戶推出M1芯片,一旦三星技術超越臺積電,硬件廠商選擇三星也很正常。

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