IT之傢 4 月 15 日消息,Netac 朗科科技今天宣佈首批 DDR5 DRAM 內存顆粒已抵達朗科研發總部,朗科正式進入 DDR5 內存研發階段。

朗科:將研發超高頻 DDR5 電競內存,頻率可達 10000MHz 以上

IT之傢瞭解到,此批到達的顆粒為 Micron DDR5 ES,IC 編號為 Z9ZSB,根據 Micron 官網查詢為 ES 樣品,顆粒容量為 2Gx8,工作時序為 40-40-40。顆粒基於 1znm 工藝制造,尺寸為 11x9mm。

官方表示,朗科自 2018 年進入內存行業,目前已經推出新款電競及國產化內存產品,預計在今年 6 月推出 DDR4 電競 RGB 燈條。結合內存性能的過往發展、研發路程以及對玩傢速度的追求,朗科計劃投入研發可達 10000MHz 以上的 DDR5 內存產品,敬請期待

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