三星、IBM、臺積電看來是誰也不服誰，最終誰能成為芯片領域的領航者，需要用實力說話。

在芯片代工領域，對於臺積電、三星來說算的上數一數二的企業瞭。在芯片工藝制程技術上可以說是你追我趕。其目的都是想保持各自在芯片制造領域的地位。

不過在現實的芯片中，最有說服力的還是最先進的5nm芯片。於此同時也讓大傢體驗到瞭載有150多億個晶體管的指甲蓋大小芯片魅力所在。

芯片制程領域新突破

☞三星發佈采用GAAFET結構3nm芯片

在今年的3月份，三星發佈瞭一款3nm工藝制程芯片，采用全柵場效應晶體管（GAAFET）結構。並在IEEE國際固態電路會議（ISSCC）上公佈瞭這款芯片技術特性。

並稱其有兩種類型的GAAFET：

• GAAFET:這被稱為具有“薄”鰭的納米線。

• MBCFET:稱為具有“厚”鰭的納米片。

很顯然這種工藝制程芯片已超越臺積電所采用的FinFET晶體管工藝。在這之後再現“王”者

☞IBM全球首發2nm工藝制程芯片

IBM發佈的這顆芯片同樣是采用GAAFET晶體管技術，但這顆芯片上的晶體管密度卻達到瞭3.33MTr /mm，也就是3.3億個每平方毫米。

我們都知道華為5納米麒麟9000芯片最多也就是150多億個晶體管。而IBM這顆芯片集成度可以說是相當的大瞭。簡直超乎想象。

而臺積電、三星這次似乎是被“打臉”。這就好比“強中自有強中手”，誰也不想輸。這就是芯片技術革命。

臺積電官宣1nm

近日，據媒體消息稱，臺大與臺積電、美國麻省理工學院聯合研發出半導體新材料鉍，有助於未來突破摩爾定律極限。並且該項研究成果已在《Nature》期刊公開發佈。

該項技術突破點主要是采用瞭半導體金屬鉍(Bi)作為二維材料的接觸電極，成功大幅降低電阻並提高電流，據稱效能接近量子極限。

此項技術的突破有助於未來實現1nm以下原子級電晶體的級別。

早在ISSCC 2021國際固態電路會議上，臺積電聯席CEO劉德音曾公佈瞭最新工藝進展情況，不僅3nm工藝進展順利。並實現瞭EUV光源的技術性突破，功率可達350W。不僅能支持5nm工藝，甚至未來可以用於1nm工藝。

看來這次，臺積電在先進工藝制程方面又處於行業領先低位。

摩爾定律或將不在是極限

摩爾定律是指:當價格不變時，集成電路上可容納的晶體管數目每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。

這一定律是由英特爾創始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)提出來的。從而也揭示瞭科學技術的飛速速度，並在摩爾定律在發現後的40多年裡產生瞭巨大影響。

從臺積電官宣的1nm芯片工藝制程技術來看，未來摩爾定律極限有可能會再次被突破。那麼之前的關於摩爾定律已接近物理極限似乎是不成立瞭。

給我們的啟發

當然瞭，在這裡我們也不能總當吃瓜的群眾，這項技術上的突破，也給我們芯片制造技術帶來新的思路。

目前，雖然我們在石墨烯、光量子芯片技術上也取得瞭一定的突破性進展，但最終距離穩定可靠的量產還有一定的差距。看來要想在未來芯片領域實現突破，我們需要從多方面綜合考慮。