3C王者

自從英特爾和美光在閃存制造方面分道揚鑣之後，美光就沒少坑英特爾，先是威脅要賣掉唯一能制造3D XPoint閃存的工廠（英特爾需要該閃存制造傲騰SSD和持久內存），現在又通過176層堆疊的B47R閃存讓英特爾尷尬瞭一把。下圖就是采用美光B47R閃存的PCIe 4.0固態硬盤，目前處於上市前的工程樣品階段。

英特爾剛剛通過11代酷睿Rocket Lake將PCIe 4.0接口帶到瞭自己的消費級電腦平臺上，終於是追上瞭AMD在硬盤吞吐性能上的速度，甚至還利用CPU節能關閉得比較到位的優勢，在4K隨機讀寫上性能上取得大幅領先。

但B47R閃存的出現，暴露瞭英特爾11代酷睿的一個缺陷：PCIe Payload Size隻有256字節，而AMD平臺則是512字節。受此影響，同一顆固態硬盤在AMD平臺上的順序讀取速度將比英特爾平臺快出285MB/s！

為什麼之前沒有人發現英特爾的這個問題，直到美光B47R閃存推出後才被曝光呢？簡單來說這是閃存接口速率的影響。

包括三星980PRO和西數SN850在內的旗艦級PCIe 4.0固態硬盤所用的閃存接口都是1200MT/s規格的，8通道下恰好能發揮出7000MB/s出頭的讀取速度，英特爾的256字節Payload Size也看不出異樣。而美光B47R的閃存接口速度達到瞭1600MT/s，8通道主控下PCIe 4.0 x4成為瓶頸，特別是Payload Size隻有256字節的英特爾平臺由於額外帶寬開銷更大，受到的影響更為明顯。

雖然順序讀寫速度因為自身缺陷而出現短板，英特爾的CPU目前還具備延遲上的優勢，所以無論是4K隨機讀寫速度還是PCMark 8/10存儲測試，依然是英特爾平臺大幅領先。隻有等英特爾在第12代酷睿Alder Lake中支持512字節的PCIe Payload Size，才能補足順序讀寫速度這一短板，真正趨於完善。

回到美光這個新閃存上來，B47R是美光第二代RG替換門架構閃存，176層堆疊，讀寫延遲相比上代閃存降低35%，ONFi閃存接口帶寬提升33%。

美光176層閃存用在PCIe 4.0 x4接口下是有些性能過剩的，8通道配置下它可提供大約9500MB/s的閃存到主控數據傳輸帶寬，或許PCIe 4.0 x8的企業級固態硬盤，或者未來PCIe 5.0 x4的下一代消費級固態硬盤（今年應該是沒戲瞭）才能充分發揮它的潛能。