3C王者

去年中國進口集成電路金額超過3500億美元，其中約有25-30%左右為存儲芯片，主要就是NAND閃存和DRAM內存，而主要供應方為三星、SK海力士、美光、東芝、西部這些廠商。

而國產存儲芯片廠商，主要也有兩傢，分別是長江存儲和長鑫存儲，長江存儲主攻NAND閃存，而長鑫存儲主攻DRAM內存。

而現在，國產內存有瞭新玩傢瞭，那就是兆易創新。在6月3日，國產存儲芯片巨頭兆易創新宣佈，其首款自有品牌4Gb DDR4產品GDQ2BFAA系列現已量產，實現從設計、流片，到封測、驗證的全面國產化。

而兆易創新這次量產的DDR4芯片，工藝是19nm，與長鑫目前的19nm工藝基本是保持一致的，而預計接下來的工藝是17nm，大約在2021年底或2022年初實現。

那麼目前三星、美光工藝是多少？由於在內存領域，大傢並不直接說多少納米工藝，是以1Xnm、1Ynm、1Znm、1αnm、1βnm、1γnm來替代的。

三星、美光對外表示的工藝是1αnm工藝，其實是14nm工藝，而長鑫存儲、兆易創新的19nm工藝，稱之為1Xnm，很明顯，相較於全球最牛的三星，已經隻有3nm的差距瞭，努力一把，說不定就要追上瞭。

為何兆易創新在內存領域，這麼容易就實現瞭0的突破，緣於兆易創新本來就是一傢存儲芯片廠商，成立於2005年的兆易創新，這16年在存儲芯片領域，可是拿下瞭很多個第一名的。

比如成功研發瞭國內第一顆SPI NOR Flash產品、第一顆靜態存儲器及IP技術、推出瞭國內首款基於ARM Contex-M3內核的32通用MCU產品。

此外，兆易創新還是全球排名第一的無晶圓廠NOR Flash供應商，SPI NOR Flash領域市占率國內第一、全球第三，有著深厚的積累，所以從NOR Flash領域，跨界到DRAM領域，也就顯得順理成章瞭。

不過要註意的是，兆易創新也是Fabless模式，即自己不生產芯片，隻設計芯片，然後交給專業的芯片代工企業來生產，之前兆易創新的訂單多是交給中芯國際，這次的DRAM是誰來生產的，暫時還不清楚。