三星電子宣佈，3納米制程技術已經正式流片。這個3nm采用的是環繞式柵極（gate-all-around，GAA）晶體管架構，性能要強於臺積電的3納米鰭式場效應晶體管（FinFET）架構。
那麼問題來瞭，真的能打敗臺積電嗎？[白眼][白眼][看]期待ing，還是三星在吹牛呢[呲牙]，畢竟現在三星不比臺積電大傢都知道，而臺積電3nm預計到2022年才會流片
三星Samsung
而GAA架構需要一套不同於臺積電和英特爾使用的FinFET架構的設計和鑒定工具，所以三星電子采用瞭來[靈光一閃]自新思科技（Synopsys）的Fusion設 計平臺，這是一種全新平臺。
三星電子
這種3納米GAA工藝將被期待用於高性能計算、5G、移動和高級人工智能應用中的芯片的客戶。
大數據與人工智能
另外三星方面表示，GAA架構改善瞭靜電特性，提高瞭性能，降低瞭功耗(三星功耗大我們都知道哈)[看]，並增加瞭基於納米片寬控制的額外矢量的新優化機會的好處。
所以提高瞭制程的三星芯片，還會像以前一樣發熱嗎？[白眼]
華為海思加油哇，早日趕上[靈光一閃]
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