上篇分享隻是簡單提瞭下內存顆粒,其實這其中還是包含很多東西的,什麼原片、白片、黑片,什麼三星B-Die、特挑B-Die,什麼CL16、CL17、CL18等問題,還涉及到簡單超頻的問題,這篇文章給大傢一一解讀。

黑片、白片、原片

內存顆粒分為原片、黑片、白片三種,內存顆粒生產過程中會進行兩次檢測,第一次是行業規定的檢測,要求相對來說低;第二次是生產廠商進行的檢測,這次檢測很嚴格;首先進行的是行業標準檢測,檢測合格後進行第二次檢測,第二次檢測合格會打上顆粒型號和生產廠商的logo進行售賣,這就是原片。第一次檢測合格,第二次檢測不合格的是白片,不會出現廠商logo,僅會打上顆粒的型號。還有一種就是第一次檢測就不合格的就是黑片,一般都是作報廢處理。

不同廠商顆粒Die

顆粒作為內存上最重要的原件,選內存就是要選好的顆粒。下面對不同廠商的顆粒根據Die分別介紹如下圖:

內存條選擇、內存顆粒的優劣,適合自己才是最好的

三星(Samsung)、鎂光(Micron)

內存條選擇、內存顆粒的優劣,適合自己才是最好的

海力士(Hynix)

內存廠商在生產過程中會頻繁地更換內存,同系列產品會出現不同的內存顆粒,想知道自己內存顆粒的,給大傢推薦個軟件ThaiphoonBurner(臺風)去檢測下就行瞭(附圖)

內存條選擇、內存顆粒的優劣,適合自己才是最好的

內存顆粒識別

內存廠商把體質好的顆粒做成高頻內存,例如3000MHz、3200MHz、3600MHz或者更高,把相對差一點的顆粒做成2400MHz、2666MHz內存,內存條上標註的頻率是這根內存能工作穩定承受的頻率,所以有的購買高頻內存的朋友要去主板裡邊手動調整頻率。

顆粒排名


內存條選擇、內存顆粒的優劣,適合自己才是最好的

內存顆粒排名

講顆粒可能有人不太懂,還是結合內存型號更直接一點:

三星特挑B-Die:威剛 龍耀D60G DDR4 3600MHz C14,影馳名人堂 HOF OC DDR4 4600MHz,芝奇焰光戟DDR4 3600MHz C14,影馳HOF EXTREME DDR4 4266MHz,芝奇F4-3200C14D,七彩虹iGame VulcanDDR4 4266MHz

三星普通B-Die:宇瞻暗黑女神DDR4 3600MHz(部分),影馳名人堂DDR4 3600MHz,影馳名人堂DDR4 4000MHz,威剛 龍耀D60G 4133MHz,七彩虹iGame VulcanDDR4 3600MHz

鎂光E-Die C9BJZ:英睿達普條/馬甲條--穩定耐用超頻能力有限

海力士CJR:金士頓掠食者DDR4-3600MHz,金士頓雷電系列--兼容性強

海力士AFR:皇傢戟DDR43000MHzC16,幻光戟DDR43000MHzC16--超頻能力提升,體質一般(相較於三星)

海力士MFR:威剛紅龍/金龍(部分),金士頓掠食者(部分),海盜船鉑金統治者3200MHz/3600MHz(部分)--穩定無超頻能力

S降級顆粒:威剛萬紫千紅、海盜船復仇者

老司機會在其中看見出現C14代表的是CL14,這就是接下來要介紹的內存時序,大傢常見到的是四個數用“-”連接,內存的時序其實就是內存的反應時間,當內存收到CPU發來的指令後,多長時間做出反應,這就是內存的時序。要想反應得越快,時序就要越短。
我們以“CL16-18-18-38”這個時序為例,時序中的四個數字分別對應著“CL-tRCD-tRP-tRAS”。
CL(CAS Latency):列地址訪問的延遲時間,是時序中最重要的參數
tRCD(RAS to CAS Delay):內存行地址傳輸到列地址的延遲時間
tRP(RAS Precharge Time):內存行地址選通脈沖預充電時間
tRAS(RAS Active Time):行地址激活的時間

大傢隻需要知道結論:同頻率下時序越短內存性能越好。

關於超頻本人涉獵不多,不敢妄言!

希望本次分享讓大傢對內存有更深入的瞭解,選擇內存的時候顯得遊刃有餘,不再兩眼一抹黑,適合自己才是最好的,我是平凡的世界笑面人生,來自六年DIY玩傢的分享,如果覺得文章對你有幫助,歡迎點贊、評論、轉發,如果文章有不對的地方或者不懂的地方,評論區留言交流,謝謝[來看我]

創作者介紹
創作者 3C王者 的頭像
3C王者宇晨

3C王者

3C王者宇晨 發表在 痞客邦 留言(0) 人氣( 10 )