3C王者

目前市面上的SSD大多使用TLC或者QLC 3D NAND閃存，Kioxia（鎧俠）早在2019年就開始討論PLC 3D NAND閃存，應該是閃存制造廠商裡的第一傢。鎧俠已不滿足於五級單元的PLC 3D NAND閃存，今年展示瞭六級單元的HLC 3D NAND閃存，並且展望未來八級單元的OLC 3D NAND閃存。

據PC Watch報道，在2021年4月份舉辦的第5屆IEEE電子器件技術與制造會議（EDTM 2021）上，鎧俠展示瞭HLC 3D NAND閃存的實驗結果。為瞭證明HLC 3D NAND閃存的可能性，鎧俠的研究人員將現有的3D NAND閃存芯片浸入液氮，以消除重寫周期造成的單元損耗，改善集成電路的物理特性和發生的過程。鎧俠成功地在一個單元內寫入和讀取6位數據，並保持瞭100分鐘，而且還能夠實現1000次擦寫循環（P/E），當然這與低溫有關。在正常情況下，HLC 3D NAND閃存大約是100次擦寫循環（P/E）。

目前PLC 3D NAND閃存還沒有商業化，鎧俠的合作夥伴西部數據認為，PLC 3D NAND閃存隻會在2025年後對某些SSD有意義，原因是PLC 3D NAND閃存僅增加瞭25%的密度，但帶來瞭太多的問題。相比3D QLC NAND閃存，HLC 3D NAND閃存的密度提高瞭50%，從商業角度來看，可行性更高。研究人員現在的任務是找到合適的材料、設計和控制器，讓HLC和OLC 3D NAND閃存在常溫下具有可操作性和商業可行性。

對鎧俠的研究人員來說，開發合適的控制器讓這類型閃存可以可靠地讀取和寫入數據也不是容易的事。這類型控制器必須支持極其復雜的ECC算法，還需要有強大的計算能力，並且不能過於昂貴。要知道某些情況下，目前QLC 3D NAND閃存的表現並不能讓人滿意，所以TLC 3D NAND閃存不會很快消失。

如果多層單元3D NAND閃存開發止於PLC，那麼閃存制造商不得不專註於增加3D NAND閃存的層數，以提高存儲密度。目前三星和SK海力士都認為，600到1000層是可行的，這也為超高容量SSD打開瞭大門。