close
3月25日消息，在今日三星電子宣佈開發出業內首款容量達到512GB的DDR5內存模組。
據悉，存儲顆粒采用高電介質金屬柵極（HKMG/ High-K Metal Gate）晶體管工藝制造，進一步降低漏電。根據三星方面消息，其采用瞭TSV穿孔實現瞭8層堆疊，將單DRAM芯片的容量是16Gb(2GB)的元器件堆疊至的單片16GB。在512GB的內存條上采用瞭32顆。
據悉這款DDR5內存條的速度高達7200Mbps，也就是7200MHz頻率。並且三星官方表示，其功耗降低瞭13%。
根據三星的說法，三星電子計劃根據下一代客戶需求適時商業化采用HKMG工藝和8段TSV技術的高容量DDR5內存。
全站熱搜
留言列表
